VNA in MF, HF and VHF bands

Authors

  • Brian Maximiliano Gluzman Universidad Nacional de Mar del Plata https://orcid.org/0009-0003-7028-079X
  • Ramiro Avalos Ribas Universidad Nacional de Mar del Plata https://orcid.org/0000-0002-9082-9546
  • Alejandro José Uriz Universidad Nacional de Mar del Plata
  • Juan Alberto Etcheverry Universidad Nacional de Mar del Plata
  • Leonardo David Vazquez Universidad Nacional de Mar del Plata
  • Jorge Castiñeira Moreira Universidad Nacional de Mar del Plata

DOI:

https://doi.org/10.37537/rev.elektron.8.2.194.2024

Keywords:

VNA, S parameters, Impedancimeter, MF, HF, VHF, Atmega 328P, Wheatstone Bridge

Abstract

This paper proposes the design and implementation of a vector network analyzer for frequencies up to 300 MHz. The device has the ability to measure the amplitude ratio and phase difference of the reflected and transmitted signal of a system under test with respect to an incident signal. The device generates a frequency sweep of square signals from 1 MHz to 100 MHz. The signal reflected by the system under test is separated from the incident signal by means of a Wheatstone bridge. The three signals are frequency converted and acquired by means of an audio codec with USB interface, and then processed in a computer to calculate the impedance, the S11 and S21 parameters. With the appropriate adjustment, it is possible to take advantage of the third harmonic synthesized by the generator and expand the measurement range up to 300 MHz.

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Author Biographies

  • Brian Maximiliano Gluzman, Universidad Nacional de Mar del Plata
    Brian Maximiliano Gluzman. Ingeniero Electrónico por la Universidad Nacional de Mar del Plata (UNMdP), Argentina, en 2018. Desde el 2021 se desempeña como Ayudante Gra-duado con Dedicación Exclusiva en la materia Teoría de Redes I, de la Facultad de Ingeniería de la UNMdP. Su tema de investiga-ción es sobre sistemas de comu-nicaciones usando el paradigma radio definida por software (SDR).
  • Ramiro Avalos Ribas, Universidad Nacional de Mar del Plata
    Ramiro Avalos Ribas. Ingeniero Electrónico y Doctor en Ingenie-ría con Orientación Electrónica por la Universidad Nacional de Mar del Plata (UNMdP), Argen-tina, en 2018 y 2023 respectiva-mente. Desde el 2018 se desem-peña como docente en el área de física y en el área de Comunica-ciones en la Facultad de Ingenie-ría de la UNMdP y desde 2023 ocupa el cargo de Jefe de Tra-bajos Prácticos con Dedicación Exclusiva. Sus intereses como investigador son sobre resonadores electromagnéticos para la medición no invasiva de glucosa en sangre y otras aplicaciones.
  • Alejandro José Uriz, Universidad Nacional de Mar del Plata
    Ingeniero Electrónico y Doctor en Ingenie-ría con Orientación Electrónica por la Universidad Nacional de Mar del Plata (UNMdP), Argen-tina, en 2010 y 2014 respectiva-mente. Desde el 2006 cumple fun-ciones en diversos cargos en la Facultad de Ingeniería de la UNMdP. Desde el 2018 ocupa el cargo de Profesor Adjunto con Dedicación Exclusiva. Desde el 2020 es Investigador Adjunto del Conicet, Argentina. Sus intereses como investigador son sobre sistemas de comunica-ciones; Software Defined Radio (SDR); desarrollos para me-jorar la calidad de vida; procesamiento de señales de audio; Sistemas Embebidos.
  • Juan Alberto Etcheverry, Universidad Nacional de Mar del Plata
    Juan Alberto Etcheverry. Inge-niero Electrónico por la Universi-dad Nacional de Mar del Plata (UNMdP), Argentina, en 2015. Desde 2015 cumple funciones como docente en el Área de Co-municaciones en la Facultad de Ingeniería de la UNMdP. Desde el 2022 ocupa el cargo de Jefe de Trabajos Prácticos con Dedica-ción Exclusiva. Sus intereses como investigador son sobre sistemas embebidos para procesamiento de señales de conta-minación ambiental. ORCID: https://orcid.

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Published

2024-12-15

Issue

Section

Telecommunications and Aerospace Industry and Systems

How to Cite

[1]
B. M. Gluzman, R. Avalos Ribas, A. J. Uriz, J. A. Etcheverry, L. D. Vazquez, and J. Castiñeira Moreira, “VNA in MF, HF and VHF bands”, Elektron, vol. 8, no. 2, pp. 94–100, Dec. 2024, doi: 10.37537/rev.elektron.8.2.194.2024.