Diseño y evaluación de un sensor Hall con diferentes geometrías de placas Hall en un proceso CMOS de 0,5 μm
DOI:
https://doi.org/10.37537/rev.elektron.1.1.5.2017Palabras clave:
Hall Plate, CMOS diseño, Sensor de campo magnético de estado sólido.Resumen
Un sensor Hall integrado fue diseñado y fabricado en un proceso CMOS ONC5N/F de 0.5μm provisto por MOSIS. Dentro del mismo, cuatro placas Hall con distintas geometrías fueron integradas con el objetivo de analizar su sensibilidad y resistencia desde -40°C hasta 165°C. Dentro del mismo chip también se integraron y diseñaron un amplificador y un sistema de rotación de corriente para remover su offset. Los resultados muestran una mayor sensibilidad en la placa Hall con forma de cruz y un comportamiento lineal del sensor dentro de su rango de operación.Descargas
Referencias
E. H. Hall, “On a new action of the magnet on electric currents”, American Journal of Mathematics, vol. 2, np. 3, 1879, pp. 287-292.
R. S. Popovic,Hall effect devices. Philadelphia, PA: CRC Press, 2003.
W. Versnel, “The geometrical correction factor for a rectangular Hall Plate”, Journal of Applied Physics, vol. 53, np. 7, 1982, pp. 4980-4986.
W. Versnel, “Analysis of symmetrical Hall Plates with finite contacts”, Journal of Applied Physics, vol. 52, np. 7, 1981, pp. 4659-4666.
A. A. Bellekom, “Origins of offset in conventional and spinning-current Hall plates”, Ph.D. dissertation, Dept. Elect. Eng., Delft Univ. of Technology, Delft, Netherlands,1998.
A. Bilotti, G. Monreal, R. Vig, “Monolithic magnetic Hall sensor using dynamic quadrature offset cancellation”, IEEE journal of solid-state circuits, vol. 32, np. 6, 1997, pp. 829-836.
N. Ronis, M. Garcia-Inza “Design and Characterization of Hall Plates in a 0.5µm CMOS Process”, Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA), Neuquén, Argentina, 2016.
N. D. Arora, J. R. Hauser, D. J. Roulston, “Electron and hole mobilities in silicon as a function of concentration and temperature”, IEEE Transactions on Electron Devices,vol. 29, np. 2, 1982, pp. 292-295.
E. Ohta, M. Sakata, “Temperature dependence of Hall factor in low-compensated n-type silicon”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 17, np. 10, 1978, p. 1795.
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