Diseño y evaluación de un sensor Hall con diferentes geometrías de placas Hall en un proceso CMOS de 0,5 μm

Nicolás Ronis, Mariano García Inza

Resumen


Un sensor Hall integrado fue diseñado y fabricado en un proceso CMOS ONC5N/F de 0.5μm provisto por MOSIS. Dentro del mismo, cuatro placas Hall con distintas geometrías fueron integradas con el objetivo de analizar su sensibilidad y resistencia desde -40°C hasta 165°C. Dentro del mismo chip también se integraron y diseñaron un amplificador y un sistema de rotación de corriente para remover su offset. Los resultados muestran una mayor sensibilidad en la placa Hall con forma de cruz y un comportamiento lineal del sensor dentro de su rango de operación.

Palabras clave


Hall Plate; CMOS diseño; Sensor de campo magnético de estado sólido.

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Referencias


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DOI: https://doi.org/10.37537/rev.elektron.1.1.5.2017

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